电流不随电压的变化而变化(电流不随电压改变)

在电阻不变的情况下,电流随电压的变化而变化。 当电阻R不变时,电压越大电流越大。 即:R=U/I(电阻R 电压U 电流I)。 电学上规定:正电荷定向流动的方向为电流方向。工程中以正电荷的定向流动方向为电流方向,电流的大小则以单位时间内流经导体截面的电荷Q来表示其强弱,称为电流强度。

1、n二极管即由p区和n区构成，p区多数载子为空穴（＋），n区多子为电子（－），结合在一起之后结合处空穴与电子复合形成一定宽度的耗尽区，同时p区一段距离内留下不能移动的负电荷，n区一段距离内留下不能移动的正电荷，这一段耗尽区又称为空间电荷区，内形成电场，方向从n区指向p区。

2、电场力量导致载流子的漂移运动，电子p－>n，空穴n－>p，而本省p和n区的载流子浓度又造成相应的扩散运动，电子n－>p，空穴p－>n，这两种运动会达成一定的平衡。

3、如果pn结加正向偏置电压p（＋）n（－）就会加据扩散运动而抑制飘逸运动，当然扩散运动是多子的扩散，所以加正向电压会形成一定的电流。

4、如果pn结加反向偏置电压p（－）n（＋）就会加据飘逸运动而抑制扩散运动，因为飘逸运动是少子的飘逸，所以反向电压如果小于一定程度电流是比较小的，可以忽略。

5、但是若反向电压如果到达一定程度，pn结会被击穿，这里有三种机制导致：1.雪崩击穿因为耗尽区的电场方向和外加电场方向一致，导致电场很大，电子在电场中被加速到一定的速度之后撞击晶格形成电子－空穴对，被撞击出来的电子又被加速撞击其他的晶格......这样反复形成很多载流子在电常方向上运动从而形成电流。

6、因为效果很象雪崩效应，所以叫雪崩击穿。

7、多见于pn结浓度较低，耗尽区叫宽的pn结。

8、2.齐纳击穿多见于pn结惨杂浓度较高的pn结。

9、因为耗尽区电场很大，强电场直接破坏晶格形成电子－空穴对，电子－空穴对又在电场下运动从而形成电流。

10、3.热电击穿未击穿时反向电流虽小，但是乘于反向电压也会有一定的耗散功率产生，功耗产生热。

11、如果散热不好温度上升，因为反向电流是随着温度成指数关系上升的，所以当温度上升到一定之后，电流会很大，造成击穿。

12、pn结的i－v curve可知道，pn结反向击穿后电流迅速上升但是电压却变化的很慢，所以所以此时的pn结可以用来做稳压管。